Низкотемпературные омические контакты на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на кремниевых подложках

Исследованы закономерности формирования низкотемпературного омического контакта на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам Al$_{0.25}$Ga$_{0.75}$N/GaN на кремниевых подложках. Получены омические контакты на основе композиции Ta/Al/Ti (10/300/20 нм), характеризующиеся низким значением приведенного контактного сопротивления (0.4 Ом $\cdot$ мм), а также гладкой морфологией поверхности контактной площадки и ее края после термической обработки при $T$ = 550$^\circ$C в течение $t$ = 60 с в среде азота.