Анодное окисление слоев кремний-на-изоляторе, созданных методом водородного переноса

Изучена скорость анодного окисления пленок кремний-на-изоляторе (КНИ), созданных методом водородного переноса, как функция температуры последующего отжига. Установлено, что скорость окисления перенесенных пленок КНИ в 5 раз меньше по сравнению со скоростью окисления образцов монокристаллического объемного кремния. Скорость окисления растет по мере отжига образцов в интервале температур 700–1100$^\circ$С, а также с глубиной по мере поэтапного удаления анодно-окисленных слоев. Полученные результаты объясняются увеличением эффективности анодного тока и взаимодействия атомов кислорода и кремния соответственно за счет отжига дефектов и выхода водорода из связанного состояния. Обнаружено образование водородных пузырей в приповерхностной области кремния за счет диффузии водорода, высвобождающегося в процессе реакции окисления, к микропорам в слое КНИ.