Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

Представлены первые результаты исследования возможности изготовления сверхрешеток на основе InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Экспериментально показана возможность изготовления гетероструктур с напряженной сверхрешеткой типа InAs/GaSb с толщиной слоев 2–4 нм. В спектрах электролюминесценции структур при 77 K наблюдается длинноволновый пик в районе 5 мкм (0.25 эВ), вероятно, связанный с напряженной сверхрешеткой, так как твердые растворы, которые могли бы образоваться на основе составных соединений, не обеспечивают полученную энергию рекомбинации носителей.