RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 13–17 (Mi phts5604)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge

В. Ф. Баннаяa, Е. В. Никитинаb

a Московский государственный педагогический университет, Москва
b Российский университет дружбы народов, г. Москва

Аннотация: Подробно рассмотрены результаты экспериментального исследования разогрева носителей заряда электрическим полем ($\mathbf E$) в чистом германии $n$- и $p$-типов, в квантующем магнитном поле ($\mathbf H$) при $\mathbf E\perp\mathbf H$, в условиях фотовозбуждения носителей. Полученные результаты качественно согласуются с теорией захвата носителей заряда в скрещенных электрическом и магнитном полях.

Поступила в редакцию: 14.06.2018
Исправленный вариант: 21.02.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.01.46980.8837


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:1, 9–13

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024