RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 18–25 (Mi phts5605)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние плазмохимической модификации поверхности на электронный транспорт и работу выхода в кремниевых кристаллах

Р. К. Яфаров

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Исследованы закономерности модификации поверхности кремниевых кристаллов при СВЧ плазменной микрообработке в различных химически активных газовых средах. Показано, что модификация обусловлена формированием встроенных поверхностных потенциалов, которые в зависимости от типа электропроводности полупроводников различным образом влияют на автоэмиссионные свойства и приповерхностный электронный транспорт в устройствах, изготовленных на их основе.

Поступила в редакцию: 22.01.2018
Исправленный вариант: 21.02.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.01.46981.8826


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:1, 14–21

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024