Нерезонансное обращение волнового фронта света на поверхности пленок GaN при большой мощности оптического возбуждения

Теоретически и экспериментально показана возможность нерезонансного обращения волнового фронта света в возбужденной полупроводниковой среде. На эпитаксиальных пленках GaN при комнатной температуре при накачке азотным лазером впервые обнаружено индуцированное обращение волнового фронта света в видимой и инфракрасной областях спектра. Исследованы зависимости интенсивности сигнала обращения волнового фронта света от энергии фотона и интенсивности лазерной накачки. Предлагается объяснение эффекта: поглощение и преломление света на индуцированных лазером свободных носителях в полупроводниковой среде.