RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 59–64 (Mi phts5612)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Зависимость объемных электрофизических свойств мультикремния от параметров разориентации зерен

С. М. Пещероваa, Е. Б. Якимовb, А. И. Непомнящихa, В. И. Орловb, О. В. Феклисоваb, Л. А. Павловаa, Р. В. Пресняковa

a Институт геохимии им. Виноградова СО РАН, Иркутск, Россия
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия

Аннотация: Методами тока, индуцированного электронным или лазерным пучком, исследована рекомбинационная активность внутризеренных дефектов в мультикристаллическом кремнии. Выявлена взаимосвязь ориентации зерен с характером распределения внутризеренных дефектов (дислокаций и примесных включений) и их рекомбинационной активностью. Дефектная структура зерен исследована с использованием различных методик травления для выявления дефектов. Показано, что плотность и распределение дефектов в зернах зависят от их ориентации относительно оси роста. Поэтому именно внутризеренные дефекты и примеси в большей степени, чем границы зерен, ответственны за деградацию времени жизни неравновесных носителей заряда.

Поступила в редакцию: 10.01.2018
Исправленный вариант: 11.01.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.01.46988.8814


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:1, 55–59

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024