О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия

В диапазоне значений индукции поперечного магнитного поля 0–5 Тл при температурах от 100 до 200 K проведены измерения характеристик проводимости канала инверсии Si-транзисторных структур после ионной поляризации и деполяризации образцов. После ионной поляризации при температуре 420 K под действием сильного электрического поля в окисле перетекало не менее 6 $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-2}$ ионов. Обнаруженное ранее повышение проводимости в цепи исток-сток после поляризации изолирующих слоев до 10 раз объяснено образованием нового пути электропереноса по поверхностной примесной зоне, связанной с делокализованными D$^{-}$-состояниями, которые генерируются нейтрализованными ионами, расположенными в изолирующем слое у границы раздела с полупроводником.