RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 93–100 (Mi phts5618)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Влияние отжига во фреоне на кристаллическую структуру слоев теллурида кадмия и эффективность пленочных фотоэлектрических преобразователей на их основе

Г. С. Хрипунов, А. В. Мериуц, Т. Н. Шелест, М. Г. Хрипунов

Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"

Аннотация: Исследованы фотоэлектрические преобразователи на основе базовых слоев теллурида кадмия, полученных методом термического испарения и сублимацией в замкнутом объеме. Для активации базовых слоев использован отжиг в парах фреона. Проведены структурные и морфологические исследования для сравнения рекристаллизационных процессов, происходящих в процессе отжига в слоях теллурида кадмия, полученных разными методами. Исследованы выходные параметры и световые диодные характеристики фотоэлектрических преобразователей и проанализирована возможность применения отжига в парах фреона при создании промышленной технологии получения пленочных фотоэлектрических преобразователей на основе CdS/CdTе с использованием термических методов формирования базовых слоев.

Поступила в редакцию: 22.03.2018
Исправленный вариант: 10.04.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.01.46994.8871


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:1, 89–95

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024