RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 101–103 (Mi phts5619)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана

А. А. Свинцовa, Е. Б. Якимовab, М. В. Дорохинc, П. Б. Деминаc, Ю. М. Кузнецовc

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведено моделирование $\beta$-вольтаических элементов питания, представляющих собой объединенные источник и преобразователь $\beta$-частиц. В качестве источника использовано соединение TiT$_{2}$, содержащее радиоактивный изотоп трития. В качестве преобразователя рассмотрены структуры на основе полупроводниковых материалов, наиболее часто использующихся при разработке элементов питания на $\beta$-вольтаическом эффекте: Si, SiC, GaAs. С применением метода Монте-Карло рассчитаны основные параметры источников, в частности, выполнены оценки предельно достижимого значения тока короткого замыкания.

Поступила в редакцию: 10.04.2018
Исправленный вариант: 17.04.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.01.46995.8884


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:1, 96–98

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024