Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe

Представлена разработанная эллипсометрическая методика бесконтактного измерения in situ температуры буферного слоя CdTe. Методика основана на температурной зависимости энергетического положения критических точек CdTe и предназначена для определения стартовой температуры поверхности роста перед началом эпитаксии соединения кадмий–ртуть–теллур. Предложен экспрессный метод определения положения критических точек по спектрам эллипсометрического параметра $\Psi$. Проведена серия калибровочных экспериментов, в результате которых получены зависимости положения критических точек от температуры. Оценки и эксперимент показывают, что точность измерения температуры составляет $\pm$3$^\circ$C.