RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 13, страницы 1563–1569 (Mi phts5628)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности подвижности электронов в слоистом полупроводнике $n$-InSe

А. Ш. Абдиновa, Р. Ф. Бабаеваb

a Бакинский государственный университет
b Азербайджанский государственный экономический университет, Баку, Азербайджан

Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости холловской подвижности электронов от технологической предыстории изучаемого образца, температуры, электрического поля, легирования и воздействия света в выращенных видоизмененным методом Бриджмена монокристаллах $n$-InSe. Установлено, что в области температур ниже комнатной зависимости подвижности электронов от внешних факторов, исходного удельного сопротивления и легирования имеют аномальный, т. е. не подчиняющийся теории о подвижности свободных носителей заряда в квазиупорядоченных кристаллических полупроводниках, характер. Предполагалось, что эти аномалии обусловлены частичной неупорядоченностью и флуктуацией потенциала свободных энергетических зон монокристаллов $n$-InSe и могут управляться температурой, электрическим полем, легированием и воздействием света.

Поступила в редакцию: 19.02.2018
Принята в печать: 23.04.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.13.46866.8372


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:13, 1662–1668

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024