RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 13, страницы 1570–1572 (Mi phts5629)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Измерение подвижности носителей заряда в арсениде галлия с помощью ближнеполевого сверхвысокочастотного микроскопа методом сверхвысокочастотного магнитосопротивления

Д. А. Усанов, А. Э. Постельга, А. А. Калямин, И. В. Шаров

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация: Показана возможность бесконтактного неразрушающего локального измерения сверхвысокочастотной подвижности носителей заряда в арсениде галлия при помощи ближнеполевого сканирующего сверхвысокочастотного микроскопа с использованием эффекта сверхвысокочастотного магнитосопротивления. Отмечается необходимость учета при обработке результатов измерений влияния эффекта смещения сверхвысокочастотного поля.

Поступила в редакцию: 16.04.2018
Принята в печать: 24.04.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.13.46867.8891


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:13, 1669–1671

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024