RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 13, страницы 1573–1577 (Mi phts5630)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Электронный парамагнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах HgSe

А. И. Вейнгерa, И. В. Кочманa, В. И. Окуловb, М. Д. Андрийчукc, Л. Д. Паранчичc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
c Черновицкий национальный университет

Аннотация: Изучены образцы бесщелевого полупроводника HgSe c различной концентрацией примеси железа. Образцы HgSe:Fe исследованы методом электронного парамагнитного резонанса. Рассмотрены множественные резонансные линии, обусловленные неспаренными спинами различного происхождения. Для описания свойств электронов, локализованных на мелких примесях, использована водородоподобная модель. Рассмотрено влияние внутреннего поля на резонансные линии. Обнаружено, что зона проводимости HgSe является не только непараболической, но также и несферической.

Поступила в редакцию: 04.05.2018
Принята в печать: 21.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.13.46868.8904


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:13, 1672–1676

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024