Внутрицентровые излучательные переходы на примесных центрах тантала в теллуриде кадмия

Впервые исследованы спектры люминесценции примесных центров Та в CdTe. Обнаружено, что при переходе электронной системы центров от 3$d$(V) к 5$d$(Ta) происходит существенное изменение характеристик примесного излучения. Идентификация электронных переходов проведена по диаграммам Танабе–Сугано теории кристаллического поля. Установлено, что излучательные переходы происходят на изолированных центрах Ta$^{3+}_{\mathrm{Cd}}$ между уровнями с различным значением спина. Температурное уширение бесфононной линии Та вызвано взаимодействием $d$-электронов центра с ТА-фононами кристаллической решетки. Однако при интерпретации данных по ее температурному сдвигу следует учесть гибридизацию локальных примесных и зонных состояний. Температурное гашение люминесценции происходит c энергиями активации 60 и 160 мэВ. Излучательное время жизни центров CdTe : Ta составляет 1.5 мкс.