Первопринципное исследование полупроводника ZnSnSb$_{2}$

В результате расчетов из первых принципов, основанных на теории функционала плотности, для халькопиритоподобного кристалла ZnSnSb$_{2}$ получены равновесные параметры кристаллической решетки $a$ = 6.2893 $\mathring{\mathrm{A}}$, $c$ = 12.5975 $\mathring{\mathrm{A}}$ и $u$ = 0.2314, зонная структура с шириной запрещенной зоны $E_{g}$=0.43 эВ. Вычислены частоты колебаний фононов и упругие постоянные $C_{11}$ = 89.3, $C_{12}$ = 41.9, $C_{13}$ = 41.8, $C_{33}$ = 90.4, $C_{44}$ = 43.9, $C_{66}$ = 44.1, фазовые скорости упругих волн, модули упругости, микротвердость (2.29 ГПа) и упругий параметр Грюнайзена (1.5). Рассмотрены температурные зависимости для теплоемкости и термодинамических потенциалов (от 20 до 633 K).