О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями

Проведено теоретическое исследование влияния параметров геометрии транзистора с каналом в форме плавника (FinFET) на интенсивность деградации, вызываемой горячими носителями (ДВГН). Для этого использована модель, в рамках которой рассматриваются три подзадачи, составляющие физическую картину ДВГН: транспорт носителей заряда в полупроводниковых структурах, описание микроскопических механизмов формирования дефектов и моделирование характеристик деградировавших приборов. В процессе анализа варьируются длина затвора, а также ширина и высота канала. Показано, что при фиксированных условиях стрессового воздействия интенсивность ДВГН повышается в транзисторах с более коротким или более широким каналом, а высота канала не оказывает существенного влияния на протекание ДВГН. Данная информация может оказаться полезной для оптимизации архитектуры транзисторов обсуждаемой топологии с целью подавления деградационных эффектов.