Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP

На основе решеточно-согласованных гетероструктур GaInAsP/InP, полученных газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений, разработаны фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения с засветкой со стороны подложки. Рассмотрены варианты просветляющих покрытий с минимумом отражения при длинe волны $\lambda$ = 1064 нм, а также особенности монтажа чипов с использованием паяльных паст с различающимися температурами плавления. В условиях равномерного облучения для мощности 1.2 Вт на фотопреобразователях площадью 3.5 $\times$ 3.5 мм$^{2}$ получен кпд 34.5% ($\lambda$ = 1064 нм).