RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 13, страницы 1647–1650 (Mi phts5643)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп

В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Разработаны и изготовлены источники электропитания на основе фотоэлектрических преобразователей и радиолюминесцентных тритиевых ламп с голубым и зеленым свечением. Методом низкотемпературной эпитаксии из жидкой фазы получены гетероструктуры $(p-n)$ Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As с различными значениями ширины запрещенной зоны ($E_{g}$ = 1.4–1.9 эВ) и составом активной области ($x$ = 0.1–0.35). Фотоэлектрический преобразователь площадью $S$ = 0.12 см$^{2}$ при облучении зеленой тритиевой лампой (длина волны $\lambda$ = 550 нм) характеризуется плотностью тока короткого замыкания 180 нA/cм$^{2}$ и выходной электрической мощностью $>$ 100 нВт/cм$^{2}$.

Поступила в редакцию: 25.06.2018
Принята в печать: 06.07.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.13.46881.8942


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:13, 1754–1757

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024