Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках $c$-сапфира различной геометрии

Исследованы особенности роста наноколонн GaN на профилированных подложках c-сапфира с регулярным массивом микроконусов, имеющих различные плотность и диаметр основания в диапазонах (1–5) $\cdot$ 10$^{7}$ см$^{-2}$ и 2.5–3.5 мкм соответственно. Изучена кинетика и определены режимы селективного роста одиночных наноколонн GaN с диаметром 30–100 нм на вершинах микроконусов при радикально меньших скоростях роста на их боковых гранях. Исследовано влияние геометрии микроконусов, температуры подложки, шероховатости исходной поверхности и присутствия индия в качестве сурфактанта на степень селективности роста.