Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных приборов

Приводятся результаты исследования применимости различных травителей для целей прецизионного жидкостного травления структур монолитных оптоэлектронных приборов, содержащих слои GaPNAs. Было показано, что травитель на основе иодада калия и соляной кислоты наилучшим образом подходит для данной задачи. Наличие в составе полупроводника азота (до 4%) и мышьяка не оказывает существенного влияния на работу травителя, однако требует проведения дополнительных калибровочных экспериментов по уточнению скорости травления в каждом конкретном случае. В работе представлены примеры практического применения прецизионного травления для измерения характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs.