Эффект поля в пленках PbSnTe : In с низкой проводимостью в режиме инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом

При $T$ = 4.2 K впервые экспериментально наблюдалось сильное (до 4 раз) изменение тока, ограниченного пространственным зарядом, в образцах на основе полуизолирующих пленок PbSnTe : In, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках (111) BaF$_{2}$. Полученные результаты согласуются с экспериментами по влиянию на ток, ограниченный пространственным зарядом, обработки поверхности пленок PbSnTe : In с изменением величины тока до 10$^{3}$ и более раз. На качественном уровне рассмотрена модель, предполагающая существенный вклад локализованных поверхностных состояний в пространственный заряд, образующийся в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом, вследствие инжекции носителей заряда из контактов.