Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой

Основываясь на комплексном исследовании структурных и электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией при атмосферном давлении, выбрана модель их строения в виде трех сопряженных основаниями усеченных пирамид, учитывающая диффузионное размытие состава со стороны основания и боковой поверхности, а также сегрегацию индия вблизи вершины. Установлено, что волновые функции носителей в основном состоянии локализованы в сравнительно небольшой области квантовой точки вблизи ее вершины.