Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках GaAs и искусственных подложках Ge/Si на основе Si(001) с эпитаксиальным метаморфным слоем Ge выращены лазерные структуры с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs. Для подавления релаксации упругих напряжений при росте квантовых ям InGaAs с высокой долей In применялись компенсирующие слои GaAsP. Сопоставлены структурные и излучательные свойства образцов, выращенных на различных типах подложек. На структурах, выращенных на подложках GaAs, получено стимулированное излучение на длинах волн до 1.24 мкм при температуре 300 K, выращенных на подложках Ge/Si – на длинах волн до 1.1 мкм при температуре 77 K.