RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1447–1454 (Mi phts5658)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs

С. В. Гудинаa, Ю. Г. Араповa, Е. В. Ильченкоa, В. Н. Неверовa, А. П. Савельевa, С. М. Подгорныхab, Н. Г. Шелушининаa, М. В. Якунинab, И. С. Васильевскийc, А. Н. Виниченкоc

a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
b Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Проведено исследование продольного $\rho_{xx}$ и холловского $\rho_{xy}$ сопротивлений в области квантовых фазовых переходов в режиме квантового эффекта Холла в магнитных полях до 12 Тл при температурах $T$ = 0.4–30 K в двумерных электронных системах $n$-In$_{0.9}$Ga$_{0.1}$Аs/In$_{0.81}$Al$_{0.19}$As. Обнаружено неуниверсальное скейлинговое поведение температурной зависимости ширины пиков сопротивления $\rho_{xx}$, связанное с влиянием крупномасштабного случайного потенциала и смешиванием уровней Ландау с разными направлениями спина.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.12.46755.34


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:12, 1551–1558

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024