RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1455–1459 (Mi phts5659)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge

И. В. Ерофееваa, М. В. Дорохинa, А. В. Здоровейщевa, Ю. М. Кузнецовab, А. А. Поповab, Е. А. Ланцевb, А. В. Боряковc, В. Е. Котоминаa

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Научно-исследовательский институт химии при Нижегородском государственном университете им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Исследованы термоэлектрические материалы на основе SiGe, полученного электроимпульсным плазменным спеканием. Проведено варьирование степени легирования исходных материалов, степени перемешивания Si и Ge, а также свойств зеренной структуры сформированных образцов. Установлено, что использование исходных материалов, легированных донорными или акцепторными примесями позволяет управлять концентрацией носителей заряда в спеченных образцах. Показано, что концентрация носителей оказывает наиболее существенное влияние на энергетические характеристики термоэлектриков (фактор мощности). Для структур с наибольшей концентрацией носителей управление термоэлектрическими коэффициентами достигается путем варьирования степени перемешивания Ge и Si, а также однородности распределения примесей.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.12.46756.35


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:12, 1559–1563

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024