Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12,страницы 1464

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом

Н. В. Сибирев^abc, К. П. Котляр^b, А. А. Корякин^a, И. В. Штром^dc, Е. В. Убыйвовк^c, И. П. Сошников^d, Р. Р. Резник^ad, А. Д. Буравлев^bd, Г. Э. Цырлин^abdc

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский государственный университет
^d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs(111)B, легированной кремнием, были синтезированы массивы нитевидных нанокристаллов (Al, Ga)As c радиальным гетеропереходом, легированные бериллием. Исследование фотоэлектрических свойств полученных структур, проведенное с помощью эмулятора солнечного излучения со стандартным солнечным спектром AM1.5G, показало, что квантовый выход полученного солнечного элемента составляет 4.1%, а кпд – 0.4%.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.12.46758.37