RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1469–1476 (Mi phts5662)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Внутрицентровая релаксация мелких доноров мышьяка в деформированном германии. Инверсия населенностей при оптическом возбуждении

В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проводится расчет скоростей релаксации нижних возбужденных состояний $1s(T)$, $2p_{0}$, $2s$, $3p_{0}$, $2p_{\pm}$ доноров мышьяка в кристалле германия при взаимодействии с длинноволновыми акустическими фононами в зависимости от одноосной деформации сжатия в кристаллографическом направлении [111]. На основе вычисленных времен произведены оценки населенностей состояний при оптическом возбуждении. Теоретически показано, что оптическое возбуждение среды формирует инверсную населенность уровней донора мышьяка и при нулевом значении деформации приводит к возможности реализации четырехуровневой лазерной схемы с излучательным переходом между состояниями $2p$ и триплетным состоянием $1s$. В условиях оптического возбуждения излучением СО$_{2}$-лазера оценочное значение ожидаемого коэффициента усиления в среде при концентрации доноров 2 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-3}$ составляет $\sim$0.35 см$^{-1}$ на частоте 1.98 ТГц в случае, если рабочим переходом является 2$p_{\pm}\to1s(T)$, и 1.25 ТГц, если рабочий переход 2$p_{0}\to1s(T)$.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.12.46759.39


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:12, 1573–1580

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024