К. Е. Спирин, Д. М. Гапонова, К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12,страницы 1482

Эта публикация цитируется в 10 статьях

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами

К. Е. Спирин^a, Д. М. Гапонова^a, К. В. Маремьянин^a, В. В. Румянцев^a, В. И. Гавриленко^a, Н. Н. Михайлов^b, С. А. Дворецкий^b

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследовались эффекты остаточной фотопроводимости в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами при $T$ = 4.2 K. Показано, что остаточная фотопроводимость в данной системе имеет биполярный характер, т. е. присутствует как положительная, так и отрицательная остаточная фотопроводимость в зависимости от длины волны подсветки.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.12.46761.41