RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1486–1490 (Mi phts5665)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников

К. В. Маремьянинa, А. В. Иконниковb, Л. С. Бовкунa, В. В. Румянцевa, Е. Г. Чижевскийc, И. И. Засавицкийc, В. И. Гавриленкоa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: На основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se созданы и исследованы длинноволновые диффузионные инжекционные лазеры, излучающие вплоть до рекордно большой длины волны 50.4 мкм. Монокристаллы Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se выращивались из паровой фазы в условиях свободного роста. На примере узкозонного полупроводника HgCdTe и гетероструктуры с квантовой ямой показана возможность использования разработанных лазеров для спектроскопии твердого тела.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.12.46762.42


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:12, 1590–1594

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024