П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, А. О. Михайлов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, И. В. Илькив, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC”, Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12,страницы 1507

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC

П. А. Алексеев^a, М. С. Дунаевский^a, А. О. Михайлов^a, С. П. Лебедев^b, А. А. Лебедев^a, И. В. Илькив^c, А. И. Хребтов^b, А. Д. Буравлев^acd, Г. Э. Цырлин^bcd

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: by 0.6pt Исследовались электрофизические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на поверхности (0001) 6H-SiC-подложки, покрытой моно- и бислоями графена. Нитевидные нанокристаллы были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Исследование электрофизических свойств производилось путем измерения и анализа вольт-амперных характеристик одиночных нитевидных нанокристаллов, вертикально растущих на подложке. Численное моделирование измеренных вольт-амперных характеристк выявило наличие шоттки-барьера высотой $\sim$0.6 В между нитевидными нанокристаллами и графеном. Возникновение барьера связано с формированием избыточного мышьяка на интерфейсе нитевидный нанокристалл/графен.

Поступила в редакцию: 09.04.2018
Принята в печать: 17.04.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.12.46766.8882