Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te

Разработан метод расчета состояний многовалентных доноров и акцепторов в Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te материалах. Рассчитаны энергии ионизации глубоких акцепторных и донорных центров в эпитаксиальных Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te-пленках. Метод расчета учитывал влияние как валентной зоны, так и зоны проводимости на состояния примесно-дефектных центров. Проведенные расчеты энергий уровней четырехвалентных акцепторов и доноров, связанных с дефектами кристаллической структуры, указывают на межцентровую природу линий, наблюдаемых ранее в спектрах фотолюминесценции Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te-пленок.