RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1280–1285 (Mi phts5680)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах

Д. С. Абрамкинab, А. К. Бакаровa, А. К. Гутаковскийab, Т. С. Шамирзаевacb

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Уральский федеральный университет, г. Екатеринбург

Аннотация: Изучено атомное строение и энергетический спектр гетероструктур, формирующихся в системе бинарных соединений InSb/AlAs. Твердый раствор In$_{x}$Al$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{1-y}$, из которого формируются квантовые ямы в структурах InSb/AlAs, распадается на две фазы разного состава. Характерные размеры областей, содержащих отдельные фазы твердого раствора в плоскости структуры, составляют 5–7 нм. Спинодальный распад твердого раствора приводит к формированию в квантовых ямах изученных гетероструктур сосуществующих областей с энергетическим спектром первого и второго рода и непрямой в пространстве квазиимпульсов запрещенной зоной.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46583.05


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:11, 1392–1397

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024