RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1291–1294 (Mi phts5682)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Модель “петли экстремумов” для спектра валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе

С. В. Гудинаa, А. С. Боголюбскийa, В. Н. Неверовa, Н. Г. Шелушининаa, М. В. Якунинab

a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
b Институт естественных наук и математики, Уральский федеральный университет, Екатеринбург, Россия

Аннотация: Для валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой рассчитаны эффективная масса и спектр уровней Ландау в квазиклассической модели “петли экстремумов”. В полуметаллической фазе веер уровней Ландау валентной зоны начинается при $B$ = 0 с энергии, соответствующей энергии боковых максимумов этой зоны, и перекрывается с веером уровней Ландау зоны проводимости.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46585.07


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:11, 1403–1406

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024