RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1295–1299 (Mi phts5683)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео–Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений

А. С. Пузановa, С. В. Оболенскийa, В. А. Козловab

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Рассмотрен процесс релаксации возбуждений в электронно-дырочной плазме при воздействии ионизирующего излучения с длительностью, меньшей времени релаксации энергии и импульса подвижных носителей заряда. На примере расчета переходных ионизационных процессов в кремниевом диоде Шоттки гипервысоких частот проведено сравнение локально-равновесной и локально-неравновесной моделей переноса носителей заряда. Показано, что локально-неравновесная модель имеет более широкую область применимости для описания быстропротекающих релаксационных процессов.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46586.08


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:11, 1407–1411

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024