RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1326–1330 (Mi phts5690)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Спектроскопия одиночных AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек

И. А. Деребезовab, В. А. Гайслерa, А. В. Гайслерa, Д. В. Дмитриевa, А. И. Тороповa, M. Von Helversenc, C. De la Hayec, S. Bounouarc, S. Reitzensteinc

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, г. Новосибирск
c Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik Eugene-Wigner-Gebäude, D-10623 Berlin, Federal Republic of Germany

Аннотация: Исследована система квантовых точек на основе AlInAs и (111)InGaAs. Использование широкозонных твердых растворов Al$_{x}$In$_{1-x}$As в качестве основы квантовых точек позволило существенно расширить спектральный диапазон излучения в коротковолновую область, включая участок длин волн вблизи 770 нм, представляющий интерес для разработки аэрокосмических систем квантовой криптографии. Исследована тонкая структура экситонных состояний AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек. Показано, что для набора квантовых точек расщепление экситонных состояний сравнимо с естественной шириной экситонных линий, что представляет интерес для разработки излучателей фотонных пар на их основе.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46593.15


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:11, 1437–1441

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024