Д. Г. Павельев, А. П. Васильев, В. А. Козлов, Е. С. Оболенская, “Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток”, Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11,страницы 1337

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток

Д. Г. Павельев^a, А. П. Васильев^b, В. А. Козлов^ac, Е. С. Оболенская^a

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Впервые теоретически и экспериментально исследована радиационная стойкость к гамма-нейтронному облучению ($\sim$1 МэВ) диодов на основе симметричных GaAs/AlAs 30-периодных сверхрешеток. В расчетах использованы модельные зонная диаграмма и эквивалентная схема исследуемой структуры. Расчеты проведены в квазигидродинамическом приближении с учетом разогрева исследуемых диодов протекающим током. Результаты расчетов ВАХ и предельных частот работы диодов до и после гамма-нейтронного облучения хорошо коррелируют с экспериментальными данными.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46595.17