RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1362–1365 (Mi phts5696)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl

А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. В. Скороходов, В. И. Шашкин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Впервые проведено плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме хлорпентафторэтана (C$_{2}$F$_{5}$Cl) с учeтом пассивации поверхности продуктами распада реагента. Исследованы элементный состав осаждeнных покрытий, их плотность и морфологические свойства. Установлено, что наиболее гладкий профиль травления реализуется при использовании большого потока фреона и малой eмкостной мощности. В таком режиме анизотропия травления сохраняется на глубине 7 мкм при скорости процесса 230 нм/мин.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46599.21


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:11, 1473–1476

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024