Физика и техника полупроводников,
2018, том 52, выпуск 11,страницы 1384–1389(Mi phts5700)
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках
Аннотация:
Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на “виртуальной подложке” Ge/Si(100) с использованием буферных слоев GaAs и InP выращены “гибридные” лазерные структуры с квантовыми ямами AlGaInAs. При оптической накачке полученных образцов достигнуто стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм при температуре жидкого азота. Порог возникновения стимулированного излучения составил 30–70 кВт/см$^{2}$.
Поступила в редакцию: 25.04.2018 Принята в печать: 07.05.2018