RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1390–1394 (Mi phts5701)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Многофононная внутрицентровая релаксация состояний акцепторов бора в алмазе

Н. А. Бекин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Расчеты темпов релаксации осуществлялись в адиабатическом приближении, в котором в качестве стационарных состояний примеси выступают электронно-колебательные (вибронные) состояния. Вероятности переходов между этими состояниями, сопровождаемые испусканием (или поглощением) одного или нескольких фононов, рассчитываются в первом порядке теории возмущений как возникающие в результате нарушения адиабатичности. Для описания электронной части волновой функции вибронного состояния использовался простой гамильтониан с изотропной эффективной массой. Волновая функция основного состояния находилась методом квантового дефекта. Согласно расчетам, дырка из возбужденного состояния акцептора бора, энергия которого выше энергии основного состояния на 304 мэВ, релаксирует на основное состояние с испусканием двух оптических фононов с темпом $\sim$10$^{11}$ c$^{-1}$. Данная величина является оценкой сверху, поскольку использованная в расчетах модель бездисперсных оптических фононов завышает количество фононных мод, участие которых в релаксации разрешено законом сохранения энергии. Однако несмотря на грубый характер приближения, можно сделать вывод, что многофононная релаксация состояний акцепторов бора в алмазе является быстрым процессом.

Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46604.38


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:11, 1500–1504

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024