Влияние электростатического поля периферии на вентильный фотоэффект в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки

Исследования электростатической системы плоских контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки выявили нетривиальную зависимость их токовой и вольтовой фоточувствительностей (вентильного фотоэффекта) от формы контактов. Особенности использования вентильного фотоэффекта в таких контактах во многом определяются встроенным электростатическим полем периферии, модуль которого зависит от периметра и площади контактов. Таким образом, повышение эффективности преобразования контактами Шоттки световой энергии в электрическую требует использования методов оптимизации, в основе которых лежат изложенные в данной работе положения физической модели электростатической системы плоских контактов Шоттки с учетом электростатических полей периферии. Эффект “резонанса горячих электронов”, приводящий к увеличению внешней квантовой эффективности фотодиодов с барьером Шоттки, может быть объяснен усилением полевой эмиссии электронов электростатическим полем периферии.