Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs

Исследованы характеристики лазеров оптического диапазона 1.44–1.46 мкм, выращенных на подложках GaAs с использованием метаморфного буфера. Активная область лазеров содержала 10 рядов квантовых точек InAs/In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As. Показано, что использование специального селективного высокотемпературного отжига совместно с применением короткопериодных сверхрешеток In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As/In$_{0.2}$Al$_{0.3}$Ga$_{0.5}$As позволяет существенно снизить плотность прорастающих дислокаций в активной области. Для лазера с широким полоском длиной 3 мм достигнута пороговая плотность тока 1300 А $\cdot$ см$^{-2}$, внешняя дифференциальная квантовая эффективность 38% и максимальная выходная мощность в импульсном режиме 13 Вт.