RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 10, страницы 1197–1202 (Mi phts5715)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Особенности спектров ИК отражения и комбинационного рассеяния кристаллов Sb$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$

С. А. Немовab, В. Д. Андрееваa, Ю. В. Улашкевичc, А. В. Поволоцкийd, А. А. Аллаххахa

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Проведено комплексное исследование (рентгенофазовое, комбинацион ного рассеяния и ИК отражения) кристаллов $p$-Sb$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.10), синтезированных методом Чохральского. Рентгенофазовый анализ и спектры комбинационного рассеяния света показали, что все исследованные образцы твердых растворов имеют кристаллическую ромбоэдрическую структуру с параметрами элементарной ячейки, близкими к их значениям в кристаллах Sb$_{2}$Te$_{3}$. Вместе с тем также наблюдается образование областей с разной степенью замещения атомов Te селеном. Спектры отражения исследованных кристаллов $R(\nu)$ имеют характерный минимум вблизи 1000 см$^{-1}$, который связывается с плазменными колебаниями дырок. Плазменный минимум закономерно смещается в высокочастотную сторону по мере увеличения концентрации селена. Расчет спектров отражения в рамках модели Друде–Лоренца удовлетворительно описывает экспериментальные спектры, причем в области низких частот необходимо учитывать также вклад оптических колебаний кристаллической решетки. Расчет позволил определить оптические параметры исследованных кристаллов, а также оценить эффективную массу дырок и оптическую проводимость.

Поступила в редакцию: 22.03.2018
Принята в печать: 28.03.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.10.46461.8869


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:10, 1317–1322

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024