RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 10, страницы 1228–1236 (Mi phts5720)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование профиля эффективного показателя преломления в самоорганизующихся наноструктурированных пленках ITO

Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. Ю. Смирнова, С. И. Павлов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовались оптические характеристики и структурные особенности самоорганизующихся наноструктурированных пленок оксида индия и олова (ITO), нанесенных методом электронно-лучевого испарения на нагретые выше 400$^\circ$C подложки. Оценки профилей распределения вещества и значения эффективного показателя преломления в исследуемых пленках были получены компьютерным моделированием среды, имеющей наиболее близкие к наблюдаемым в эксперименте спектральные зависимости коэффициентов пропускания и отражения света. Полученные результаты находятся в хорошем согласии с данными растровой электронной микроскопии для этих пленок и позволяют не только подтвердить градиентный характер таких покрытий, но и восстановить его некоторые особенности. Дальнейшее заращивание пустот в самоорганизующихся наноструктурированных пленках посредством нанесения дополнительного количества материала методом магнетронного распыления при комнатной температуре приводит к изменению в них профиля эффективного показателя преломления. Таким образом можно создавать прозрачные проводящие покрытия с профилем эффективного показателя преломления, настраиваемым под поставленные задачи. Настройка профиля показателя преломления в самоорганизованных пленках ITO приобретает особое значение для конструирования покрытий с заданными свойствами в силу ограниченного набора прозрачных проводящих материалов.

Поступила в редакцию: 26.02.2018
Принята в печать: 12.03.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.10.46466.8853


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:10, 1349–1356

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024