Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами

Выполнены численные расчеты кинетики накопления точечных дефектов – вакансий и дивакансий при облучении кремния ионами с массами $M_{1}\le$ 31 а.е.м. и энергиями $E\le$ 100 кэВ при различных условиях облучения. Использована ранее предложенная диффузионно-коагуляционная модель, но без сделанного при ее аналитической реализации приближения “слабой диффузии”. Проанализированы основные особенности зависимостей концентраций вакансий и дивакансий от дозы, плотности ионного тока и температуры при облучении. Дана физическая интерпретация полученных результатов. Разработанный вычислительный комплекс является достаточно гибким, позволяя путем вариации входных параметров модели анализировать их влияние, а также при необходимости включать в рассмотрение дополнительные процессы.