RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 973–979 (Mi phts5725)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Оптические свойства и механизм образования вакансионно-кислородных комплексов V$_{2}$O$_{2}$ и V$_{3}$O$_{2}$ в облученных кристаллах кремния

Е. А. Толкачеваa, В. П. Маркевичb, Л. И. Муринa

a Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Республика Беларусь
b Манчестерский университет, Манчестер, Англия

Аннотация: Методом ИК фурье-спектроскопии исследованы процессы образования и отжига вакансионно-кислородных комплексов V$_{n}$O$_{m} (n,m\ge2)$ в облученных быстрыми электронами и быстрыми реакторными нейтронами кристаллах кремния, полученных методом Чохральского. Приведен ряд аргументов, позволяющих идентифицировать полосы поглощения у 829.3 и 844.4 см$^{-1}$ как обусловленные локальными колебательными модами комплексов V$_{2}$O$_{2}$ и V$_{3}$O$_{2}$ соответственно.

Поступила в редакцию: 20.12.2017
Принята в печать: 09.01.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46141.8806


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:9, 1097–1103

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024