RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 980–985 (Mi phts5726)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние высокодозной имплантации углерода на фазовый состав, морфологию и автоэмиссионные свойства кристаллов кремния

Р. К. Яфаров

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Исследования высокодозной имплантации ионов углерода в отсутствие послеоперационного отжига показали существенную модификацию морфологии, фазового состава приповерхностных слоев и автоэмиссионных свойств пластин кремния. Обнаружены влияние типа электропроводности на эволюцию в зависимости от дозы облучения морфологии поверхностей кристаллов кремния и повышенное содержание алмазоподобных фаз в области микровыступов при максимальной дозе, которое не зависит от типа электропроводности. Показано, что высокодозная имплантация углерода в пластины кремния с предварительно структурированной поверхностью увеличивает максимальные плотности автоэмиссионных токов более двух порядков величины.

Поступила в редакцию: 02.10.2017
Принята в печать: 18.10.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46230.8691


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:9, 1104–1109

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024