RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 986–989 (Mi phts5727)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Поверхностное дефектообразование в CdTe при воздействии излучения CO$_{2}$-лазера

П. С. Шкумбатюк

Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко

Аннотация: Исследовано действие непрерывного излучения СО$_{2}$-лазера на сколотую поверхность (110) CdTe. На основании анализа морфологии облучаемой и облученной поверхности показано, что образование наблюдаемых дефектов обусловлено испарением CdTe в области дислокаций.

Поступила в редакцию: 30.08.2017
Принята в печать: 10.10.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46144.8718


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:9, 1110–1113

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024