RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 995–999 (Mi phts5729)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Структура и электрические свойства пленок на основе оксида олова, легированных цирконием

А. В. Ситников, О. В. Жилова, И. В. Бабкина, В. А. Макагонов, Ю. Е. Калинин, О. И. Ремизова

Воронежский государственный технический университет

Аннотация: Тонкие пленки SnO$_{2}$, стабилизированные Zr, были получены ионно-лучевым реактивным распылением. В одном технологическом процессе были синтезированы аморфные тонкопленочные образцы SnO$_{2}$ с различной концентрацией Zr. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. В тонкопленочных системах Sn–Zr–O начало процесса кристаллизации наблюдается при температурах 673 и 773 K, что сопровождается появлением метастабильных фаз. При нагреве до 873 K эти фазы преобразуются в Sn + Sn$_{2}$O$_{3}$.
Было обнаружено,что после кристаллизации пленок процесс электропереноса при температурах, близких к комнатной, является термоактивационным с энергией активации $\sim$0.78 эВ. Пленки оксида олова, легированные Zr от 0.6 до 3.9 ат%, после кристаллизации проявляют свойства газовой чувствительности к водороду.

Поступила в редакцию: 21.12.2017
Принята в печать: 05.02.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46146.8804


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:9, 1118–1122

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024