Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs

Изучено электрополевое поведение резонансных особенностей, наблюдаемых на фотоэлектрических характеристиках гетерокомпозиций InAs/GaAs. Обсуждается механизм эмиссии возбуждаемых светом носителей заряда из квантовых точек InAs в матрицу GaAs. Показано, что при температуре жидкого азота величина фототока в сильном поперечном электрическом поле определяется исключительно эффектом туннелирования электронов сквозь барьер, формируемый в окрестности интерфейсов квантовых точек. Сопоставление экспериментальных кривых с квазиклассическим выражением для туннельной составляющей тока и последующий анализ структуры потенциала позволили уточнить значения параметров исследуемой гетерокомпозиции. Проанализирован вклад в общую величину туннельного тока резонансной составляющей, связанной с возможным туннелированием электронов сквозь барьер с участием локальных уровней дефектов на гетерогранице. Проведен теоретический анализ влияния уровня возбуждения системы на величину фототока, протекающего через гетеропереход InAs/GaAs.